INTERNATIONAL RECTIFIER лого
   


AC-DC
Бытовая техника
Автоэлектроника
DC-DC
Освещение
HiRel
Аудио
Серверы
Мобильные устройства

Документация на продукцию International Rectifier (datasheet)

НаименованиеОписаниеДокументация
IRF660330В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MT. рекомендуемая замена - IRF6612
IRF6603TR130В28.000ADIRECTFET-
IRF660430В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST. рекомендуемая замена - IRF6621
IRF6604TR130В15.000ADIRECTFET-
IRF660730В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MT. рекомендуемая замена - IRF6612
IRF6607TR130В28.000ADIRECTFET-
IRF660830В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST. рекомендуемая замена - IRF6621
IRF6608TR130В12.000ADIRECTFET-
IRF660920В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6609TR120В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6609TR1PBF20В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6609TRPBF20В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6610TR120В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 66 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6610TR1PBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 66 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6610TRPBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 66 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF661130В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6611TR130В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6611TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6611TRPBF30 В одноканальный N HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF661230В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 136 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6612TR130В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 136 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6612TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 136 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6612TRPBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 136 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6613A 40В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6613TR1AA 40В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6613TR1PBFMOSFET, 40В, 150A, 3.4 мОм, 42 нКл заряд затвора, Med Can-
IRF6613TRPBFMOSFET, 40В, 150A, 3.4 мОм, 42 нКл заряд затвора, Med Can
IRF6614A 40В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6614TR140В12.700ADIRECTFET-
IRF6614TR1PBFMOSFET, 40В, 55A, 8.3 мОм, 19 нКл заряд затвора, SмАll Can-
IRF6614TRPBFMOSFET, 40В, 55A, 8.3 мОм, 19 нКл заряд затвора, SмАll Can
IRF6616A 40В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 106 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6616TR1A 40В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 106 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6616TR1PBFMOSFET, 40В, 106A, 5.0 мОм, 29 нКл заряд затвора, Med Can-
IRF6616TRPBFMOSFET, 40В, 106A, 5.0 мОм, 29 нКл заряд затвора, Med Can
IRF661730В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6617TR130В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6617TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6617TRPBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF661830В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6618TR130В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6618TR1PBF30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6618TRPBF30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF661920В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6619TR120В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6619TR1PBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6619TRPBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF662020В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6620TR120В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6620TR1PBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6620TRPBF20В одноканальный N HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6621TR130В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6621TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6621TRPBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6622TR1PBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6622TRPBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF662320В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6623TR120В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6623TR1PBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6623TRPBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF662630В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 72 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6626TR130В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 72 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6626TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 72 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6626TRPBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 72 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6628TR1PBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. Part is not available in bulk, TR is implied in part number-
IRF6628TRPBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. Part is not available in bulk, TR is implied in part number
IRF6629TR1PBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. Part is not available in bulk, TR is implied in part number-
IRF6629TRPBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. Part is not available in bulk, TR is implied in part number
IRF6631TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 57 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6631TRPBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 57 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6633ATR1PBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 69 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6633ATRPBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 69 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6633TR120В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6633TR1PBF20В одноканальный N HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6633TRPBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6635TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6635TRPBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF663620В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET (ST) нормированный на 81 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6636TR120В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET (ST) нормированный на 81 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6636TR1PBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET (ST) нормированный на 81 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6636TRPBF20В одноканальный N HEXFET силовой MOSFET в корпусе (ST) нормированный на 81 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF663730В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6637TR130В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6637TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6637TRPBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6638TR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6638TRPBF30В один N канал30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.pe and Reel only.
IRF667830В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6678TR130В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6678TR1PBF30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6678TRPBF30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF669120В один N канал HEXFET силовой MOSFET с интегрированным диодом Шоттки с затвором 20 В в корпусе DirectFET MT нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6691TR120В один N канал HEXFET силовой MOSFET с интегрированным диодом Шоттки с затвором 20 В в корпусе DirectFET MT нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6691TR1PBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET с интегрированным диодом Шоттки с затвором 20 В в корпусе DirectFET MT нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.-
IRF6691TRPBF20В один N канал HEXFET силовой MOSFET с интегрированным диодом Шоттки с затвором 20 В в корпусе DirectFET MT нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.
IRF6702M2DTR1P30V 999.000A DIRECTFET-MV-
IRF6702M2DTRPBF30V 999.000A DIRECTFET-MV-
IRF6706S2TR1PBFX0.9 ControlFET in S1 Outline.-
IRF6706S2TRPBFX0.9 ControlFET in S1 Outline.-
IRF6708S2TR1PBF30V 999.000A DIRECTFET-LV MP-
IRF6708S2TRPBF30V 999.000A DIRECTFET-LV MP-
IRF6709S2TR1PBF25В 12.000A DIRECTFET-LV-
IRF6709S2TRPBF25В 12.000A DIRECTFET-LV
IRF6710S2TR1PBF25В 12.000A DIRECTFET-
IRF6710S2TRPBF25В 12.000A DIRECTFET
IRF6711STR1PBF25В 12.000A DIRECTFET-
IRF6711STRPBF25В 12.000A DIRECTFET
IRF6712STR1PBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 17А-
IRF6712STRPBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 17А
IRF6713STR1PBF25В 22.000A DIRECTFET-
IRF6713STRPBF25В 22.000A DIRECTFET
IRF6714MTR1PBF25В 999.000A DIRECTFET-
IRF6714MTRPBF25В 999.000A DIRECTFET
IRF6715MTR1PBF25В 999.000A DIRECTFET-
IRF6715MTRPBF25В 999.000A DIRECTFET
IRF6716MTR1PBF600В UltraFast 8-25 кГц Copack IGBT в корпусе D2-Pak-
IRF6716MTRPBF600В UltraFast 8-25 кГц Copack IGBT в корпусе D2-Pak
IRF6717MTR1PBFX3.0, 25В, M-can DirectFET 1.5, MX- Outline-
IRF6717MTRPBFX3.0, 25В, M-can DirectFET 1.5, MX- Outline
IRF6718L2TR1PBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET L2 нормированный на 61 А с низким сопротивлением канала-
IRF6718L2TRPBFA 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET L2 нормированный на 61 А с низким сопротивлением канала
IRF6720S2TR1PBF30В 11.000A DIRECTFET-LV-
IRF6720S2TRPBF30В 11.000A DIRECTFET-LV-
IRF6721STR1PBF30В DirectFET силовой MOSFET-
IRF6721STRPBF30В DirectFET силовой MOSFET
IRF6722MTR1PBF30В DirectFET силовой MOSFET-
IRF6722MTRPBF30В DirectFET силовой MOSFET
IRF6722STR1PBF30В DirectFET силовой MOSFET-
IRF6722STRPBF30В DirectFET силовой MOSFET
IRF6723M2DTR1P30В 999.000A DIRECTFET-MV-
IRF6723M2DTRPBF30В 999.000A DIRECTFET-MV
IRF6724MTR1PBF30В 27.000A DIRECTFET-
IRF6724MTRPBF30В 27.000A DIRECTFET
IRF6725MTR1PBF30В DirectFET силовой MOSFET-
IRF6725MTRPBF30В DirectFET силовой MOSFET
IRF6726MTR1PBF30В DirectFET силовой MOSFET-
IRF6726MTRPBF30В DirectFET силовой MOSFET
IRF6727MTR1PBF30В DirectFET силовой MOSFET-
IRF6727MTRPBF30В DirectFET силовой MOSFET
IRF6728MTR1PBFX2.4, 30V MonoFETKY, M-can DirectFET 1.5, MX- Outline-
IRF6728MTRPBFX2.4, 30V MonoFETKY, M-can DirectFET 1.5, MX- Outline-
IRF6729MTR1PBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 31 А с низким сопротивлением канала-
IRF6729MTRPBF30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 31 А с низким сопротивлением канала
IRF6794MTR1PBF25V X2.4 DLM FETKY SyncFET with MX outline-
IRF6794MTRPBF25V X2.4 DLM FETKY SyncFET with MX outline-
IRF6795MTR1PBF25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 32-
IRF6795MTRPBF25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 32
IRF6797MTR1PBF25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 36-
IRF6797MTRPBF25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 36-
IRF6798MTR1PBF25В X3.0 DLM FETKY SyncFET в корпусе MX-
IRF6798MTRPBF25В X3.0 DLM FETKY SyncFET в корпусе MX

 

 

Rambler's Top100
Сайт создан при поддержке ЗАО "Платан Компонентс"
www.irf.ru Тел.: (495) 737-92-79