INTERNATIONAL RECTIFIER лого
   


AC-DC
Бытовая техника
Автоэлектроника
DC-DC
Освещение
HiRel
Аудио
Серверы
Мобильные устройства

Документация на продукцию International Rectifier (datasheet)

НаименованиеОписаниеДокументация
IRF5803D2PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -40В, -3.4A, 112 мОм, 25 нКл заряд затвора, SO-8
IRF5803D2TRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -40В, -3.4A, 112 мОм, 25 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7321D2PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -4.9A, 62 мОм, 23 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7321D2TRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -4.9A, 62 мОм, 23 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7322D1PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -5.3A, 62 мОм, 19 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7322D1TRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -5.3A, 62 мОм, 19 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7324D1PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -2.2A, 270 мОм, 5.2 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7324D1TRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -2.2A, 270 мОм, 5.2 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7326D2PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -3.6A, 100 мОм, 16.7 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7326D2TRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -3.6A, 100 мОм, 16.7 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7342D2PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -55V, -3.4A, 105 мОм, 26 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7353D1PBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 6.5A, 32 мОм, 22 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7353D1TRPBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 6.5A, 32 мОм, 22 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7353D2PBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 6.5A, 29 мОм, 22 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7353D2TRPBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 6.5A, 29 мОм, 22 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7421D1PBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 5.8A, 35 мОм, 18 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7421D1TRPBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 5.8A, 35 мОм, 18 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7422D2PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -4.3A, 90 мОм, 15 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7422D2TRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -4.3A, 90 мОм, 15 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7521D1PBFMOSFET с диодом Шоттки, 20В, 2.4A, 135 мОм, 5.3 нКл заряд затвора, Micro 8
IRF7521D1TRPBFMOSFET с диодом Шоттки, 20В, 2.4A, 135 мОм, 5.3 нКл заряд затвора, Micro 8
IRF7524D1GTRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -1.7A, 270 мОм, 5.4 нКл заряд затвора, Micro 8
IRF7524D1PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -1.7A, 270 мОм, 5.4 нКл заряд затвора, Micro 8
IRF7524D1TRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -1.7A, 270 мОм, 5.4 нКл заряд затвора, Micro 8
IRF7526D1PBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -2A, 200 мОм, 7.5 нКл заряд затвора, Micro 8
IRF7526D1TRPBFMOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -2A, 200 мОм, 7.5 нКл заряд затвора, Micro 8
IRF7807D1PBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 14 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7807D1TRPBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 14 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7807D2PBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 14 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7807D2TRPBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 14 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7807VD1PBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 9.5 нКл заряд затвора, SO-8
IRF7807VD1TRPBFMOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 9.5 нКл заряд затвора, SO-8

 

 

Rambler's Top100
Сайт создан при поддержке ЗАО "Платан Компонентс"
www.irf.ru Тел.: (495) 737-92-79