INTERNATIONAL RECTIFIER лого

Навигатор IGBT

Выбор IGBT

Выбор IGBT (pdf)
 


AC-DC
Бытовая техника
Автоэлектроника
DC-DC
Освещение
HiRel
Аудио
Серверы
Мобильные устройства

IGBT транзисторы

IR предлагает широкую номенклатуру IGBT транзисторов различных технологий на напряжение от 300 до 1200 В для удовлетворения нужд самого широкого круга потребителей. Кроме того, компания выпускает IGBT кристаллы для силовых модулей средней и высокой мощности с оптимизированной разводкой, встроенным диодом и большой площадкой затвора. Для модулей высокой надежности компания предлагает SFM (Solderable Front Metal) кристаллы без паяных соединений для двухстороннего охлаждения, которые позволят улучшить распределение тепла, повысить эффективности и надежность силовых модулей.

Система обозначений

IR G7 PS C 60 U D2 -E
  1 2 3 4 5 6 7
1. Поколение: G6 - 6-ое поколение, G7 - 7-ое поколение
2. Тип корпуса:
B - TO-220
I - TO-220 Fullpack
C - кристалл
P - TO-247
PS - Super 247
R - Dpak
RL - TO-251
S - TO-263 (D2PAK)
SL - TO-262
3. Напряжение
2 - 200-299 В
3 - 300-399 В
4 - 400-599 В
А - 360 В
С - 600-699 В
F - 900 В
Н - 1200 В
4. Размер кристалла: 20 - 2, 60 - 6
5. Скорость
S - менее 1 кГц
F,M - 4-8 кГц
U - 16-20 кГц
K6 - защита от КЗ 6 мкс
K10 - защита от КЗ 10 мкс
W - более 40 кГц
6. Наличие диода:
для диода:
пусто - нет
D -
D1 -
D2 -
для кристалла: B, C, D
7. Особые характеристики: Е - удлиненные выводы

IGBT
Дискретные IGBT транзисторы
IGBT с антипарал.диодом (Co-Pack)


 

Rambler's Top100
Сайт создан при поддержке ЗАО "Платан Компонентс"
www.irf.ru Тел.: (495) 737-92-79