IR выпустили в продажу первые на рынке GaN компоненты технологии GaNpowIR

Компания International Rectifier выпустила первое семейство интегрированных модулей на революционной GaN платформе по эпитаксиальной технологии нитрид галлия на кремнии. GaNpowIR – это революционная технология производства силовых приборов высокой эффективности на нитриде галлия на кремнии. Коэффициент добротности GaN приборов (FOM) в десять раз превышает самые лучшие кремниевые аналоги, что позволяет значительно повысить эффективность и снизить энергопотребление в системах распределения питания коммуникационного, автомобильного, бытового и вычислительного оборудования. Технология GaNpowIR стала результатом пятилетней работы и исследований инженеров и технологов компании International Rectifier.

Приборы iP2010 и iP2011 предназначены для многофазных и POL сильноточных преобразователей, включающих сервера, роутеры, коммутаторы и универсальные DC-DC преобразователи. iP2010 и iP2011 интегрируют инновационную сверхбыструю микросхему драйвера PowIRtune, согласованную с монолитным GaN силовым прибором, который установлен в flip chip корпусе для получения большего КПД (более 90%) при повышении рабочей частоты в 2 раза по сравнению с кремниевыми компонентами.

Появление нового семейства GaN приборов для DC-DC применений знаменует новую эру для высокоэффективных преобразователей с высокими рабочими частотами и еще раз утверждает лидирующие позиции компании в разработке систем управления мощностью. С номинальной рабочей частотой до 5 МГц, семейство компонентов iP201x позволит разработчикам кардинально уменьшить номиналы и габариты конденсаторов и индуктивностей в выходном каскаде, где экономия площади платы особенно актуальна. Новые приборы могут быть сконфигурированы для работы на более низких частотах для максимального увеличения КПД преобразования. Например, POL преобразователь LTM4602HVV с номинальными параметрами 1 МГц, 10 А почти в 2 раза превышает по габаритным размерам GaN аналог IR с лучшими характеристиками 5 МГц, 12 А.
iP2010 имеют входной диапазон напряжений от 7 до 13.2 В и позволяют управлять нагрузкой до 30 А в диапазоне напряжений 0.6…5.5 В. Максимальная рабочая частота приборов составляет 3 МГц. Модули iP2011 имеют аналогичную разводку, однако их рабочая частота достигает 5 МГц, а выходной ток ограничен 20 А. Включение нескольких моделей в одно семейство с одинаковой разводкой выводов позволит IR гибко удовлетворить спрос заказчиков на компоненты с различным уровнем тока, эффективностью и стоимостью.

Новые приборы выпускаются в LGA корпусах, оптимизированы на минимальные потери мощности, имеют высокоэффективное двухстороннее охлаждение и соответствуют нормативам RoHS.

Что такое GaN технология:

• кремниевые силовые приборы достигли максимального уровня «зрелости», дальнейшие технологические совершенствования практически невозможны
  
• новые современные материалы, такие как GaN, позволяют на несколько порядков повысить эффективность силового прибора
  
• технология GaNpowIR разрабатывалась для широкого внедрения в коммерческие разработки и проекты, первые продукты появятся на рынке уже в 2010 году
  
• надежность преобразования энергии на высоких частотах, КПД более 90% на частотах более 5 МГц
  
• приборы на GaN технологии эффективны как при работе на высоких, так и малых частотах
  
• приборы в среднем и высоком диапазоне напряжений показывают лучшие рабочие параметры по сравнению с доступными решениями на рынке
  
• GaN технология имеет большой потенциал для дальнейшего развития
  
• GaN прибор предлагают повышенную эффективность, плотность, частоту и лучший коэффициент цена-качество по сравнению с кремниевыми и другими технологиями.