Силовые MOSFET транзисторы -30…100 В в корпусе SOT-23

Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей, маломощного привода и телекоммуникационного оборудования.
Новые приборы SOT-23 отличаются улучшенными параметрами токовой нагрузки, что удалось достичь благодаря уменьшению сопротивления канала RDS(on) на 90%.
Новая линейка полевых транзисторов охватывает широкий диапазон рабочего напряжения от – 30 до 100 В с различными уровнями сопротивления RDS(on) и заряда затвора (Qg), что позволит разработчикам выбрать оптимальный прибор для решения конкретных задач без дополнительных материальных затрат.
Новые транзисторы сертифицированы по стандарту MSL1 (уровень влажности 1) и производятся в соответствии со стандартом RoHS.

Спецификация