MOSFET транзисторы 20, 25 и 30 В в PQFN корпусах для O’RING приложений

Компания International Rectifier выпустила линейку HEXFET силовых полевых транзисторов, включающую транзистор IRFH6200TRPbF с самым низким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)). Это первый PQFN 5х6 мм транзистор с оптимизированной медной защелкой и паяным кристаллом. IRFH6200TRPbF имеет самое низкое сопротивление канала (1.2 мОм макс. при 4.5 В) среди аналогичных приборов, что значительно сокращает потери на проводимость в электроприводе постоянного тока (используемом, например, в ручном электроинструменте).

Транзисторы на 25 В IRFH5250TRPbF и 30 В IRFH53xxTRPbF предназначены для DC коммутации, например, O'Ring приложений или DC электроприводов, где требуется большая нагрузочная способность по току и высокая эффективность. IRFH5250TRPbF имеет сверхнизкое сопротивление канала (1.15 мОм макс.) и малый заряд затвора (52 нКл). Аналогичные параметры для IRFH5300TRPbF составляют 1.4 мОм и 50 нКл.

В дополнении к отличным характеристикам теплоотвода использование транзисторов IRFH6200TRPbF, IRFH5250TRPbF и IRFH53xxTRPbF позволит сократить площадь платы и стоимость разработки, поскольку ранее для снижения потерь требовать использование нескольких компонентов. Все приборы имеют низкое термосопротивление (<0.5°C/Вт) и соответствуют требованиям MSL1 и RoHS.

Спецификация на IRFH6200TRPbF

Спецификация на IRFH5250TRPbF и IRFH53xxTRPbF