Транзисторы StrongIRFET
При выборе полевых транзисторов всегда приходится идти на компромисс, выбирать или приборы с низким сопротивлением канала или же приборы с низким зарядом затвора. Первые обычно используются в промышленном электроприводе, а вторые – в аудио приложениях и DC-DC преобразователях. Для достижения максимального КПД необходимы транзисторы с низким коэффициентом RQ.
Усилия разработчиков полевых транзисторов компании International Rectifier в 2013 году будут сосредоточены на двух технологиях – это N-канальные транзисторы марок StrongIRFET и FastIRFET поколения 12.7. Первые модели транзисторов уже доступны в качестве образцов на складе в Москве. Остановимся на различиях двух серий MOSFET транзисторов.
FastIRFET – это N-канальные транзисторы с низким зарядом затвора и низким коэффициентом RQ. Транзисторы предназначены для высокочастотных приложений, где требуются низкие потери на переключение. Транзисторы будут выпускаться на напряжение 60 и 100 В.
StrongIRFET – это промышленные N-канальные транзисторы со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и высоким рабочим током до 195 А/25°С (ток ограничен корпусированием). Поэтому основная сфера их применения – это промышленные системы с напряжением шины 12/24 В DC с высокими требованиями к надежности и эффективности, такие как батарейные отсеки, инверторы, бесперебойные источники питания, электроинструмент, скутеры, ORing приложения и сервера с «горячей» заменой.
Выгодным преимуществом внедрения StrongIRFET транзисторов даже в старые разработки является возможность прямой замены планарных MOSFET на новые StrongIRFET приборы. Немаловажным является и тот факт, что стоимость новых транзисторов может конкурировать с планарными MOSFET.
В семействе StrongIRFET запланированы транзисторы на 40, 60 и 75 В в семи различных промышленных стандартных корпусах. Линейка транзисторов на 40 В имеет самые низкие параметры сопротивления канала на рынке в своем сегменте и доступна для заказа уже сегодня. Диапазон Rds(on) составляет 0.9 – 4.0 мОм для номинала 40 В. Пороговое напряжение затвора составляет 3 В обеспечивает помехоустойчивость. Встроенный диод с мягким восстановлением повышает эффективность работы транзистора на малых частотах срабатывания.
|
