 Сверхминиатюрные силовые транзисторы PQFN2x2 для маломощных приложений
Компания International Rectifier расширила линейку корпусов для HEXFET® MOSFET кремниевых транзисторов, которые теперь доступны в миниатюрном корпусе PQFN 2 x 2 мм. Транзисторы имеют высокую плотность мощности и хорошую эффективность при применении в маломощных устройствах, таких, как мобильные телефоны, таблеточные компьютеры, видеокамеры, цифровые статические камеры, ноутбуки, сервера и сетевое оборудование.
С площадью монтажа всего 4 кв.мм, транзисторы в корпусах PQFN2x2 доступны на напряжения 20, 25 и 30 В в модификациях со стандартным и логическим управлением затвором. Приборы разработаны на основе инновационной низковольтной N/P-канальной кремниевой технологии, позволяющей сократить сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) и повысить плотность мощности. Данные параметры не уступают транзисторам в корпусах PQFN3.3x3.3 или PQFN5x6 мм.
В семейство приборов PQFN2x2 входят Р-канальные транзисторы, оптимизированные для использования в качестве верхнего ключа. При высоте корпуса менее 1 мм приборы совместимы со всеми существующими технология поверхностного монтажа, имеют стандартное посадочное место и соответствуют директиве RoHS.
Технические характеристики
Наим-е |
Конфигурация |
Напр-е пробоя, В |
Макс. напр-е затвор-исток, В |
Тип. / Макс. сопр-е
RDS(on),
10 В, мОм |
Тип. / Макс. сопр-е
RDS(on),
4.5 В, мОм |
Тип. / Макс. сопр-е
RDS(on),
2.5 В, мОм |
IRFHS9301 |
Single |
-30 |
-20 |
30 / 37 |
48 / 60 |
- |
IRLHS2242 |
Single |
-20 |
-12 |
- |
25 / 31 |
43 / 53 |
IRLHS6242 |
Single |
20 |
12 |
- |
9.4 / 11.7 |
12.4 / 15.5 |
IRLHS6342 |
Single |
30 |
12 |
- |
12 / 16 |
15 / 20 |
IRFHS8242 |
Single |
25 |
20 |
10 / 13 |
17 / 21 |
- |
IRFHS8342 |
Single |
30 |
20 |
13 / 16 |
20 / 25 |
- |
|
