Сверхбыстрые IGBT 1200 В с малыми потерями

Компания International Rectifier анонсировала новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах.

Новые транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания 10 мс.

Новые IGBT транзисторы помимо сокращения потерь на переключение имеют повышенную частоту срабатывания, позволяют уменьшить габариты радиатора и количество внешних компонентов (индуктивностей), что, в свою очередь, поможет сократить стоимость конечной разработки.

Новое семейство транзисторов охватывает диапазон токов 20-50 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии. Кроме того, выпускаются модели со встроенным диодом с малым временем восстановления.

 Технические характеристики