Сверхбыстрые IGBT 600 В для автомобильных источников питания
International Rectifier аннонсировала новую высоко инновационную 600 В платформу автомобильных IGBT транзисторов COOLiRIGBT для коммутации нагрузки в электрических и гибридных транспортных средствах (EV, HEV), таких, как DC-DC преобразователи, привода, зарядные устройства аккумуляторов.
Первое поколение COOLiRIGBT приборов работает на тех же частотах, что и MOSFET транзисторы при более высоком КПД и высоком уровне рабочего тока. Линейка транзисторов представлена широким модельным рядом: транзисторами на различные диапазоны тока, с минимальным временем короткого замыкания 5 мкс, низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и положительным температурным коэффициентом Vce(on). Также, IGBT имеют квадратную область безопасной работы (SRBSOA) и максимальную температуру перехода 175°С. COOLiRIGBT предоставляют разработчикам большую гибкость в выборе диода с оптимальными рабочими характеристиками.
Благодаря расширенному температурному диапазону до 175°С, упрощенной, и в то же время высоконадежной структуре прибора, новые COOLiRIGBT транзисторы 200 кГц, по сравнению с MOSFET транзисторами, представляют собой недорогое и качественное решение для быстрого переключения нагрузки в DC-DC преобразователях или зарядниках и источниках питания, которые используются в электрических и гибридных автомобилях.
AUIRGC655A1N0 оптимизированы для инвертеров и силовых приводов, AUIRGC65A20N0 и AUIRGC65G20N0 предназначены для источников питания и коммутации нагрузки на высоких частотах. Два последних прибора имеют улучшенные характеристики по току благодаря сниженным потерям на проводимость и повышенной эффективности при использовании в схемах с ZCS топологией (коммутация при нулевом токе).
Автомобильные IGBT транзисторы IR проходят 100% автоматизированный визуальный контроль на уровне пластин, а также последующий контроль качества. Приборы полностью соответствуют директиве RoHS и не содержат вредных материалов.
Технические характеристики
Наименование |
Корпус |
Напр-е, В |
Ток коллектора, А |
Рабочая частота, кГц |
Напр-е насыщения кол.-эмиттер, В (25°) |
Цикл КЗ, мкс (150°C) |
AUIRGC655A1N0 |
кристалл |
600 |
110 |
<30 |
1.80 |
≥5 |
AUIRGC65A20N0 |
Die |
600 |
20 |
40 - 70 |
1.50 |
≥5 |
AUIRGC65G20N0 |
Die |
600 |
20 |
70 - 200 |
1.80 |
≥5 |
|