IGBT 1200 В с повышенной плотностью мощности и КПД для приводов и UPS
 Компания International Rectifier выпустила новое семейство 1200 В сверхбыстрых IGBT транзисторов, оптимизированных для промышленных приводов и UPS источников питания. Транзисторы разработы по field stop trench технологии со сверхтонким кристаллом и отличаются низкими потерями на проводимость и переключение. Также, приборы характеризуются наличием диода с мягким восстановлением и защитой на 10мкс от короткого замыкания, что требуется для эффективной работы промышленных двигателей.
Новое семейство 1200 транзисторов имеют очень низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(on)) и низкие потери на переключение при высоком КПД и стабильной работе в условиях переходных процессов. Семейство включает приборы на номинальный ток от 10 до 50 А. Другие ключевые параметры – температура перехода 150°C, положительный температурный коэффициент для удобства параллельного подключения и низкое напряжение насыщения для уменьшения мощности рассеяния и повышения плотности мощности. Транзисторы выпускаются в корпусированной версии, а также доступны как кристаллы.
Технические характеристики
Корпусированные 1200 В IG
Кристаллы 1200 В IGBT
| Наименование |
Напр-е кол.-эмиттер, В |
Ток коллектора, А |
Напр-е насыщения, В |
Защита от КЗ, мкс |
IRG7CH30K10B |
1200 |
9 |
2.0 |
10 |
IRG7CH37K10B |
1200 |
15 |
1.9 |
10 |
IRG7CH44K10B |
1200 |
25 |
1.9 |
10 |
IRG7CH50K10B |
1200 |
35 |
1.9 |
10 |
IRG7CH54K10B-R |
1200 |
50 |
1.9 |
10 |
IRG7CH73K10B-R |
1200 |
75 |
1.9 |
10 |
IRG7CH75K10B-R |
1200 |
100 |
1.9 |
10 |
IRG7CH81K10B-R |
1200 |
150 |
1.9 |
10 |
|
