Чипсет 25В DirectFET для высокоэффективных высокочастотных DC-DC конверторов

Корпорация International Rectifier объявила о начале серийного производства 25В МОП-транзисторов в корпусах DirectFET® для применения в синхронных выпрямителях POL  конверторов серверов, десктопов и ноутбуков. Объединение новейшей технологии кристалла и технологиии корпусирования DirectFET обеспечило максимальную плотность энергии при высоте корпуса менее 0,7мм и занимаемой площади менее чем у корпуса SO-8. Новые транзисторы IRF6710S2, IRF6795M и IRF6797M характеризуются исключительно низким уровнем сопротивления открытого канала Rds(on), заряда затвора Qg и заряда затвор-сток Qgd для достижения высокого КПД  и тепловых характеристик а также обеспечения возможности работы фазы многофазных конверторов на токах не менее 25А.

Транзистор IRF6710S2 идеально подходит на роль управляющего ключа синхронного выпрямителя благодаря как ультранизкому заряду затвора 8.8нК и заряду Миллера всего 3нК для снижения потерь переключения так и низкому сопротивлению открытого канала (4.6мОм при 10В на затворе и 9мОм при 4.5В). Он выпускается в малогабаритном корпусе типа S1. Транзисторы  IRF6795M и IRF6797M с ультранизким Rds(on) (1.1мОм/1.8мОм при 10В/4.5В и 1.4мОм/2.4мОм)  имеют минимальные потери проводимости в то время как интегрированные в них диоды Шоттки снижают потери прямой проводимости и обратного восстановления диода. В силу этого они наилучшим образом справляюся с ролью ключа синхронного выпрямления. Эти транзисторы производятся в корпусе типа МХ.

Спецификация