IGBT транзисторы для автомобильных инверторов

Компания International Rectifier выпустила новый IGBT N-канальный транзистор 1200 В/200 А для силовых высоковольтных автомобильных инверторных модулей, применяемых в электрических и гибридных транспортных средствах. Новые транзисторы AUIRG7CH80K6B-M также могут быть использованы в приводах средней мощности.

AUIRG7CH80K6B-M разработаны на основе trench технологии последнего поколения, которая позволяет значительно снизить потери на проводимость и переключение. Кроме того, новая техника монтажа с небольшими площадками для пайки, расположенными на обеих сторонах кристалла транзистора (SFM - Solderable Front Metal) позволяет осуществлять двухсторонний отвод тепла и отказаться от проволочных соединений для повышения эффективности работы прибора.
Проволочные соединения становятся частой причиной отказа инверторных модулей. Поэтому компания IR разработала новый тип монтажа с двухсторонним охлаждением корпуса, что позволяет улучшить характеристики теплопроводимости, повысить эффективность и надежность инверторных модулей.

К числу других преимуществ IGBT транзисторов AUIRG7CH80K6B-M относятся прямоугольная зона безопасной работы (SOA), максимальная рабочая температура до 175°C, малое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, положительный температурный коэффициент, защитное выключение при выбросах напряжения, защита от короткого замыкания 6 мкс.

Транзисторы выпускаются только в форме кристаллов. Приборы нормированы на стандарты автомобильной промышленности и входят в специальную программу IR по повышенному контролю качества.