Расширение линейки PQFN транзистора среднего диапазона напряжений

Компания International Rectifier объявила о расширении в сегменте среднего уровня напряжения линейки HEXFET силовых транзисторов, выпускаемых в инновационных корпусах PQFN 5х6 мм с медной защелкой и паяным кристаллом.
Новые силовые MOSFET транзисторы ориентированы на рынок источников питания, представленный DC-DC преобразователями для сетевого и телекоммуникационного оборудования, AC-DC импульсных ИП и электроприводов. С широким диапазоном номинального напряжения, от 40 до 250 В, модели транзисторов имеют различный уровень сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) и заряд затвора (Qg), что позволяет потребителям выбрать наиболее оптимальный компонент для индивидуальной разработки.

В отличие от альтернативных решений, требующих параллельного соединения компонентов, новые транзисторы при минимальной высоте корпуса 0.9 мм имеют стандартное расположение выводов, высокий ток нагрузки, низкое сопротивление канала RDS(on), высокую плотность мощности, эффективность и надежность. Их дополнительные преимущества раскрываются в приложениях, требующих высокую плотность монтажа и минимальные габаритные размеры.
Вся линейка новых транзисторов имеет низкое термосопротивление (<0.5°C/Вт) и соответствует промышленным стандартам MSL1 и RoHS.

Спецификация