Расширение линейки автомобильных DirectFET2 транзисторов
Компания International Rectifier анонсировала расширение семейства автомобильных DirectFET2 силовых MOSFET транзисторов, имеющих исключительно высокую плотность мощности, двухстороннее охлаждение корпуса и минимальную паразитную индуктивность и сопротивление. Данные отличительные особенности необходимо для использования транзисторов в тяжелых условиях эксплуатации при управлении высокой нагрузкой (электроусилители руля, источники питания, ключи батарей в гибридных транспортных средствах, интегрированный генератор переменного тока стартера на малогабаритных гибридных автомобилях).
При сравнении новых транзисторов с компонентами в стандартных пластиковых корпусах применение DirectFET2 транзисторов способствует уменьшению габаритных размеров всей системы, а также уменьшению стоимости разработки при максимальном повышении производительности и эффективности. Новые транзисторы занимают на плате на 60% меньше места, чем их D2Pak аналоги. AUIRF7738L2 и AUIRF7737L2 DirectFET2 имеют чрезвычайно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)). Транзистор AUIRF7736M2 занимает на плате пространство, аналогичное корпусам 5x6 мм PQFN или SO-8, при этом его сопротивление RDS(on) составляет всего 2.5 мОм, в связи с этим данный транзистор может стать особенно привлекательным для маломощных применений, где стоимость является ключевым параметром выбора комплектующих.
Новые транзисторы сертифицированы по стандарту AEC-Q101 и RoHS.
Спецификация
Наименование |
Тип корпуса |
Напр-е ток - исток |
Сопр-е Rds(on) тип. |
Сопр-е Rds(on) макс. |
Заряд затвора |
Ток стока |
AUIRF7736M2 |
DF2 M Can |
40 В |
2.5 мОм |
3.0 мОм |
72 нКл |
108 A |
AUIRF7737L2 |
DF2 L Can |
40 В |
1.5 мОм |
1.9 мОм |
89 нКл |
156 A |
AUIRF7738L2 |
DF2 L Can |
40 В |
1.2 мОм |
1.6 мОм |
147 нКл |
184 A |
|